根據外資高盛的最新報告表示，中國在半導體製造關鍵環節的曝光技術研發上，至少落後國際同業 20 年的時間。
報告指出，這項技術不僅是數個半導體製造重要環節，更是阻礙中國生產高階晶片的唯一瓶頸。而這當中，荷蘭 ASML 公司製造的先進曝光機，特別是其極紫外光 （EUV） 及高數值孔徑 EUV 曝光機能夠在矽晶圓上建構出極小的電路圖案，從而大幅提升晶片性能。然而，正是這些尖端設備的供應，成了中國的痛點。
目前，由於 ASM 的曝光機仍高度依賴美國原產的零組件，美國政府得以利用此影響力，限制其向中國銷售。這項禁令對中國科技產業造成了深遠影響，例如中國科技大廠華為因其與軍方的聯繫而遭美國政府制裁，無法從台灣台積電獲取晶片，被迫轉向國內的中芯國際（SMIC）尋求支援。只是，中芯國際也未能倖免，同樣面臨採購 EUV 晶片製造曝光機的限制，這代表著中國企業目前在晶片製造上，最高只能達到 7 奈米水準。
高盛的報告表示，即便中芯國際能生產出 7 奈米製程的晶片，但是這些 7 奈米晶片極有可能還是透過 ASML 較舊的深紫外光（DUV）曝光機來生產製造，因為中國本身尚不具備製造先進曝光機的能力，因為這些設備的核心零組件主要來自全球，尤其是美國和歐洲。
高盛的分析明確指出，曝光技術在晶圓上達成精細電路建構的關鍵作用，使其成為晶片製造流程中的決定性瓶頸。目前，全球領先的晶片製造商如台積電，已能大規模生產 3 奈米晶片，並正積極準備進軍 2 奈米技術。反觀中國國內的曝光設備製造商，其技術水平仍停留在相對陳舊的 65 奈米製程。
高盛的報告還引述了數據強調，荷蘭 ASML 為了從 65 奈米技術躍升至低於 3 奈米的曝光能力，歷經二十年的時間，並投入了高達 400 億美元的研發與資本支出。綜合考量中國當前技術水平與所需龐大投入，以及全球供應鏈的複雜依賴性，該外資數據悲觀地預測，中國企業在短期內趕上西方先進技術的可能性「微乎其微」。這無疑為中國在高階晶片領域達成自給自足的願望，設下了巨大的障礙。
(首圖來源：ASML)
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